应用慢正电子束研究氧氩比和H离子注入对ZnO薄膜微结构的影响

CORC > 西北工业大学

	应用慢正电子束研究氧氩比和H离子注入对ZnO薄膜微结构的影响
	胡懿 ; 王涛 ; 介万奇 ; 吴奕初 ; 王明军 ; 方国家 ; 何春清 ; 王少阶
	2012-04-24 ; 2012-04-24
会议名称	中国广西南宁第十届全国正电子湮没谱学会议
关键词	慢正电子束衬底温度薄膜微结构离子注入能射频溅射光致发光谱实验条件注入剂量结晶质量多晶结构
中文摘要	本文采用射频溅射法(RF)制备了不同溅射条件下生长的ZnO薄膜,实验条件为氧氩比(R=O_2/Ar)从0.05到1.0变化;衬底温度为35,150,320℃,H离子注入能量为90keV,注入剂量为1×10~(15),1×10~(16)H/cm~2。利用X射线衍射(XRD),慢正电子束及光致发光谱(PL)等技术表征了该材料微观结构和光学性能的变化。实验结果表明:XRD谱显示ZnO薄膜是六角多晶结构并有垂直于衬底的C轴择优取向,薄膜的厚度,晶粒大小和结晶质量取决于氧氩比R。慢正电子多普勒测量结果如图1所示,低R薄膜(R=0.05,0.2)的S参数明显比高R膜要大,表明低R薄膜中有Zn相关空位复合体或空位团形成。PL谱显示R=0.4的薄膜有最好的发光效率,与最好C轴择优轴取向一致。进一步,在不同衬底温度下生长的ZnO薄膜,随着注入H剂量的增大,S参数增大,缺陷变多,氢相关缺陷和光学特性之间的关系正在研究之中。
会议录	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=HWLX200911001019&dbname=CPFD2010
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/873]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	胡懿,王涛,介万奇,等. 应用慢正电子束研究氧氩比和H离子注入对ZnO薄膜微结构的影响[C]. 见:中国广西南宁第十届全国正电子湮没谱学会议.