退火对Al/CdZnTe肖特基接触特性的影响

CORC > 西北工业大学

	退火对Al/CdZnTe肖特基接触特性的影响
	白旭旭 ; 介万奇 ; 查钢强 ; 王涛 ; 傅莉
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCQ201003020&dbname=CJFQ2010
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	肖特基 Al/CdZnTe I-V C-V
中文摘要	在CdZnTe表面采用真空蒸镀制备了Au和Al电极,研究了在N_2氛围退火对Al/CdZnTe接触特性的影响。退火温度在100℃到300℃之间变化,退火时间为5 min。采用Agilent4155c半导体测试仪测试了样品在不同温度退火后的I-V特性。采用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪测试了样品在不同温度退火后的C-V特性。I-V和C-V曲线表明,低温退火会使接触势垒高度增加,理想因子趋近于1,电容值下降为退火前的一半左右。当退火温度高于250℃时,接触势垒高度下降,理想因子偏离1,电容值下降近一个数量级。
语种	中文
出版者	功能材料与器件学报
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/67]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	白旭旭,介万奇,查钢强,等. 退火对Al/CdZnTe肖特基接触特性的影响[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCQ201003020&dbname=CJFQ2010,2012, 2012.
APA	白旭旭,介万奇,查钢强,王涛,&傅莉.(2012).退火对Al/CdZnTe肖特基接触特性的影响.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCQ201003020&dbname=CJFQ2010.
MLA	白旭旭,et al."退火对Al/CdZnTe肖特基接触特性的影响".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCQ201003020&dbname=CJFQ2010 (2012).