II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

CORC > 西北工业大学

	II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展
	郝建伟 ; 查钢强 ; 介万奇
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLGC201106021&dbname=CJFQ2011
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	II-VI族化合物半导体量子结构激子效应量子尺寸效应
中文摘要	简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。
语种	中文
出版者	材料工程
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/48]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郝建伟,查钢强,介万奇. II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLGC201106021&dbname=CJFQ2011,2012, 2012.
APA	郝建伟,查钢强,&介万奇.(2012).II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLGC201106021&dbname=CJFQ2011.
MLA	郝建伟,et al."II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLGC201106021&dbname=CJFQ2011 (2012).