QQ客服 官方微博 反馈留言

	Thermal conductivity studies of a GaN-sapphire structure by combined scanning thermal microscopy and electron backscatter diffraction(英文发表)
	张跃飞 ; 吉元
	2012-04-13 ; 2012-04-13
中文摘要	Scanning thermal microscope (SThM) and electron backscatter diffraction (EBSD) techniques were used to investigate the local thermal-conductivity of a GaN-buffer-sapphire heterostructure. Compared with GaN epilayer, buffer layer displayed the low thermal-
会议网址	http://dlib.edu.cnki.net/kns50/download.aspx?filename=oNmZ4xWSyQ0SM52MhZ3c6pVTUtkSZBzTChTYvQDR5oHaSdGTM9SbSBjVQV2RZFTeXx0Yzc0SDlmUPxkZC10K5xGdllWVWdXb4dWOplmV1VDRqN1VJB1UKVTWC1EW442bWNzUEJWb0EjY0ZnTjJlbzdkUrdVd4gTW&tablename=CJFD2009&dflag=pdfdown 全文链接
会议录出版者	Suzhou, China
内容类型	会议论文
源URL	[http://hdl.handle.net/123456789/16717]
专题	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张跃飞,吉元. Thermal conductivity studies of a GaN-sapphire structure by combined scanning thermal microscopy and electron backscatter diffraction(英文发表)[C]. 见:.http://dlib.edu.cnki.net/kns50/download.aspx?filename=oNmZ4xWSyQ0SM52MhZ3c6pVTUtkSZBzTChTYvQDR5oHaSdGTM9SbSBjVQV2RZFTeXx0Yzc0SDlmUPxkZC10K5xGdllWVWdXb4dWOplmV1VDRqN1VJB1UKVTWC1EW442bWNzUEJWb0EjY0ZnTjJlbzdkUrdVd4gTW&tablename=CJFD2009&dflag=pdfdown 全文链接.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。