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	双栅无结型场效应晶体管的设计与优化
	李为民 ; 梁仁荣 ; 王敬 ; LI Weimin ; LIANG Renrong ; WANG Jing
	2016-03-30 ; 2016-03-30
关键词	无结型场效应晶体管 掺杂深度分布 短沟道效应 双栅 Junctionless FET Channel doping depth profile Short channel effect Dual gate TN386.1
其他题名	Design and Optimization of Dual-Gate Junctionless Field Effect Transistor
中文摘要	利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当沟道长度缩小到10nm及以下时器件的电学特性。仿真结果表明,相比于沟道为均匀掺杂分布的器件,具有中间低的沟道掺杂深度分布的双栅无结型场效应晶体管具有更优的开关电流比、漏致势垒降低、亚阈值斜率等电学性能和短沟道特性。; Dual-gate junctionless field effect transistors have been studied using three-dimensional numerical simulation tool.The influence of channel doping depth profile on the performance of the transistors has been investigated.The electrical properties of transistors with a gate length of 10nm and beyond have been comparatively analyzed.Compared to the transistor with uniform channel doping depth profile,the junctionless transistor with high-low-high channel doping depth profile shows better electrical properties and short channel effects including higher on/off-state current ratio,lower DIBL and steeper subthreshold slope.
语种	中文 ; 中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lib.tsinghua.edu.cn/ir/item.do?handle=123456789/147054]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李为民,梁仁荣,王敬,等. 双栅无结型场效应晶体管的设计与优化[J],2016, 2016.
APA	李为民,梁仁荣,王敬,LI Weimin,LIANG Renrong,&WANG Jing.(2016).双栅无结型场效应晶体管的设计与优化..
MLA	李为民,et al."双栅无结型场效应晶体管的设计与优化".(2016).

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