| 基于三阶非线性光学技术的无损信息读出方法 | |
| 陈子辉 ; 牛丽红 ; 董思达 ; 周心玉 ; 陈锡桥 ; 张复实 | |
| 2010-07-15 ; 2010-07-15 | |
| 会议名称 | 2008非银盐影像技术及材料发展与应用学术研讨会 ; CNKI |
| 关键词 | 光子型存储 无损读出 三阶非线性光学 光致变色 TQ591 |
| 中文摘要 | 光致变色化合物作为光子型存储介质,理论上可以实现单分子的存储水平和皮秒级的响应速度。在信息写入前后,光致变色化合物的三阶非线性光学性能发生变化。检测其光异构化前后三阶非线性光学性能的改变来读出信息可以避开分子的光活性区域,同时又有很高的灵敏度,因而是一种有效的无损信息读出手段。此外,本文还探讨了基于此无损读出手段的光子型存储光盘的结构设计。 |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/68648]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈子辉,牛丽红,董思达,等. 基于三阶非线性光学技术的无损信息读出方法[C]. 见:2008非银盐影像技术及材料发展与应用学术研讨会, CNKI. |
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