| 用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管 | |
| 韩琳 ; 刘兴明 ; 刘理天 ; HAN Lin ; LIU Xing-ming ; LIU Li-tian | |
| 2010-06-09 ; 2010-06-09 | |
| 关键词 | 薄膜晶体管 非晶硅 离子注入 thin film transistor amorphous silicon ion implantation TN321.5 |
| 其他题名 | a-Si Thin Film Transistor for Infrared Sensors |
| 中文摘要 | 非晶硅薄膜晶体管由于其较高的沟道电流温度系数而被用于非致冷型红外探测器。在工艺参数仿真的基础上成功地研制了离子注入型背栅非晶薄膜晶体管,并得到了典型的输出特性。制作出的晶体管具有较高的沟道电流温度变化系数,而且制作过程简单,并能与常规IC工艺兼容,制作温度不超过300℃。; Because of high temperature coefficient of drain current(TCC),a-Si thin film transistor(TFT) has been applied to uncooled infrared sensors.The ion implanted bottom-gate a-Si TFT has been successfully fabricated on the basis of fabrication simulation.Typical output characteristics and quite high TCC are achieved.The process is simple and compatible with the usual fabrication of ICs.The temperature of the whole process is no more than 300℃. |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/56782]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩琳,刘兴明,刘理天,等. 用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管[J],2010, 2010. |
| APA | 韩琳,刘兴明,刘理天,HAN Lin,LIU Xing-ming,&LIU Li-tian.(2010).用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管.. |
| MLA | 韩琳,et al."用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管".(2010). |
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