| 具有量子修正功能的三维蒙特卡罗MOS器件模拟 | |
| 李尊朝 ; 蒋耀林 ; 饶元 ; Li Zunchao ; Jiang Yaolin ; Rao Yuan | |
| 2010-06-09 ; 2010-06-09 | |
| 关键词 | 蒙特卡罗模拟 MOS场效应管 量子效应 Monte Carlo simulation MOS field effect transistor quantum effect TN386.1 |
| 其他题名 | 3D Monte Carlo MOSFET Simulation with Quantum Correction |
| 中文摘要 | 为了处理纳米MOS场效应管的量子效应,在蒙特卡罗模拟中引入有效势量子修正,并提出了基于PC机群的三维并行模拟算法.每个节点应用多层网格法求解一个子区域内各网格点的Poisson方程,采用有效势法对各网格点进行量子修正,并跟踪模拟一组带电粒子的加速飞行和随机散射运动,使所有节点的负载始终保持平衡.模拟实例表明,引入有效势修正的蒙特卡罗模拟结果与薛定鄂方程计算结果吻合得较好,所提并行算法也具有较高的加速比.; The effective potential correction was used in 3D Monte Carlo simulation of nanoscale MOSFETs to deal with quantum mechanical effects.A parallel algorithm based on PC clusters was proposed.Every PC solved Poisson's equation with the multi-tier grid method and carried out the quantum correction using the effective potential method respectively for each grid node in one subarea,and simulated the accelerating flights and random scattering of one group of charge particles,such that the load balance of all PCs was consistently kept.Simulation results indicate that the quantum correction is in good agreement with the Schrdinger equation,and the proposed parallel algorithm has higher speedup ratio.; 国家自然科学基金资助项目(60472003); 国家重点基础研究发展计划资助项目(2005CB321701) |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/53442]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李尊朝,蒋耀林,饶元,等. 具有量子修正功能的三维蒙特卡罗MOS器件模拟[J],2010, 2010. |
| APA | 李尊朝,蒋耀林,饶元,Li Zunchao,Jiang Yaolin,&Rao Yuan.(2010).具有量子修正功能的三维蒙特卡罗MOS器件模拟.. |
| MLA | 李尊朝,et al."具有量子修正功能的三维蒙特卡罗MOS器件模拟".(2010). |
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