拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中Fe原子掺杂的STM研究

CORC > 清华大学

	拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中Fe原子掺杂的STM研究
	宋灿立 ; 蒋烨平 ; 王以林 ; 李志 ; 王立莉 ; 何珂 ; 陈曦 ; 马旭村 ; 薛其坤
	2012-04-22 ; 2012-04-22
会议名称	中国北京 2011中国材料研讨会
关键词	拓扑绝缘体扫描隧道显微镜磁性掺杂能带弯曲
中文摘要	<正>在拓扑绝缘体研究领域,磁性拓扑绝缘体的制备和性质表征是实现量子化反常霍尔效应的前提条件和实验基础[1]。利用生长在SiC(0001)单晶上的双层石墨烯(graphene)衬底,我们用分子束外延(MBE)技术制备了原子级平整、掺杂Fe原子的Bi2Se3薄膜。低温扫描隧道显微镜(STM)研
会议录	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=ZGCZ201105001911&dbname=CPFDTEMP
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/2553]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	宋灿立,蒋烨平,王以林,等. 拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中Fe原子掺杂的STM研究[C]. 见:中国北京 2011中国材料研讨会.