| 低温下二硫化钼电子迁移率研究 | |
| 董海明 | |
| 2015-09-09 ; 2015-09-09 | |
| 关键词 | 二硫化钼,迁移率,电输运,平衡方程,MoS2,mobility,electronic transport,balance-equation |
| 中文摘要 | 二硫化钼(MoS2)是已知的二维半导体材料中光电性能最优秀的材料之一.单原子层厚的MoS2是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料，可以用来发展新型的纳米电子器件和光电功能器件.本论文利用玻尔兹曼平衡方程输运理论研究低温时MoS2系统的电输运性质，计算得到了MoS2电子迁移率的解析表达式.研究发现，低温时MoS2的迁移率与衬底材料的介电常数的平方成正比；与系统的电子浓度对带电杂质的浓度的比率ne/ni成线性关系.因此，选用介电常数高的衬底材料，适当提高MoS2系统的载流子浓度，同时降低杂质的浓度，可以有效提高MoS2系统的迁移率.研究结果为探索以MoS2为基础的新型纳米光电器件的研究和实际应用提供了理论依据. |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://ir.calis.edu.cn/hdl/232060/13412]  |
| 专题 | 中国矿业大学（徐州） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董海明. 低温下二硫化钼电子迁移率研究[J],2015, 2015. |
| APA | 董海明.(2015).低温下二硫化钼电子迁移率研究.. |
| MLA | 董海明."低温下二硫化钼电子迁移率研究".(2015). |
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