| GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法 | |
| 赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉 | |
| 2017-01-25 | |
| 专利号 | CN104157725B |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 申请日期 | 2013-05-13 |
| 专利申请号 | 201310176398.X |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/4941]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵勇明,董建荣,李奎龙,等. GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法. CN104157725B. 2017-01-25. |
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