Controlled-Direction Growth of Planar InAsSb Nanowires on Si Substrates without Foreign Catalysts | |
Wenna Du ; Xiaoguang Yang ; Huayong Pan ; Xianghai Ji ; Haiming Ji ; Shuai Luo ; Xingwang Zhang ; Zhanguo Wang ; Tao Yang | |
刊名 | nano lett. |
2016 | |
卷号 | 16期号:2页码:877-882 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2017-03-10 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27677] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wenna Du,Xiaoguang Yang,Huayong Pan,et al. Controlled-Direction Growth of Planar InAsSb Nanowires on Si Substrates without Foreign Catalysts[J]. nano lett.,2016,16(2):877-882. |
APA | Wenna Du.,Xiaoguang Yang.,Huayong Pan.,Xianghai Ji.,Haiming Ji.,...&Tao Yang.(2016).Controlled-Direction Growth of Planar InAsSb Nanowires on Si Substrates without Foreign Catalysts.nano lett.,16(2),877-882. |
MLA | Wenna Du,et al."Controlled-Direction Growth of Planar InAsSb Nanowires on Si Substrates without Foreign Catalysts".nano lett. 16.2(2016):877-882. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论