QQ客服 官方微博 反馈留言

	Band Engineering of Dirac Surface States in Topological-Insulator-Based van der Waals Heterostructures
	Chang, CZ ; Tang, PZ ; Feng, X ; Li, K ; Ma, XC ; Duan, WH ; He, K ; Xue, QK
刊名	PHYSICAL REVIEW LETTERS
	2015
卷号	115期号:13
公开日期	2016-12-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/61261]
专题	物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Chang, CZ,Tang, PZ,Feng, X,et al. Band Engineering of Dirac Surface States in Topological-Insulator-Based van der Waals Heterostructures[J]. PHYSICAL REVIEW LETTERS,2015,115(13).
APA	Chang, CZ.,Tang, PZ.,Feng, X.,Li, K.,Ma, XC.,...&Xue, QK.(2015).Band Engineering of Dirac Surface States in Topological-Insulator-Based van der Waals Heterostructures.PHYSICAL REVIEW LETTERS,115(13).
MLA	Chang, CZ,et al."Band Engineering of Dirac Surface States in Topological-Insulator-Based van der Waals Heterostructures".PHYSICAL REVIEW LETTERS 115.13(2015).

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。