基于干涉的同轴检焦新方法

	基于干涉的同轴检焦新方法
	李光 ; 朱江平 ; 陈铭勇 ; 赵立新 ; 胡松 ; 段宣明
刊名	中国激光
	2013
期号	12 页码:186-190
关键词	测量同轴检焦干涉傅里叶变换离焦量
通讯作者	李光
中文摘要	针对现有离轴检焦技术在浸没式光刻方法中的局限性,提出了一种新的基于干涉的同轴检焦方法。测量光通过光刻物镜入射到硅片表面,在硅片表面反射后再次经过光刻物镜后,测量光和参考光产生干涉条纹,并被CCD接收,从而将硅片的离焦量信息调制在干涉条纹的相位信息中。通过对干涉条纹的相位提取,即可获得硅片的离焦量。仿真结果表明,该方法可以达到λ/25(λ=632.8nm)的检焦精度,并具有良好的抗噪性,满足浸没式光刻高精度、实时、非接触焦面测量的要求。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/7275]
专题	光电技术研究所_微电子装备总体研究室（四室）
作者单位	1.中国科学院理化技术研究所 2.中国科学院光电技术研究所 3.中国科学院大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李光,朱江平,陈铭勇,等. 基于干涉的同轴检焦新方法[J]. 中国激光,2013(12):186-190.
APA	李光,朱江平,陈铭勇,赵立新,胡松,&段宣明.(2013).基于干涉的同轴检焦新方法.中国激光(12),186-190.
MLA	李光,et al."基于干涉的同轴检焦新方法".中国激光 .12(2013):186-190.