直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究

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	直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究
	游志恒 ; 满卫东 ; 吕继磊 ; 阳硕 ; 何莲 ; 徐群峰 ; 白华 ; 江南
刊名	人工晶体学报
	2015
卷号	44 期号:204 页码:2746-2750
关键词	直流辉光放电化学气相沉积纳米金刚石摩擦系数
ISSN号	1000-985X
中文摘要	采用直流辉光放电化学气相沉积设备,以H2/CH4/Ar混合气体为工作气体,在2英寸硅片沉积出了晶粒尺寸为20~40 nm的纳米金刚石薄膜。采用SEM、Raman、微摩擦试验机等分析了不同CH4浓度、Ar浓度对NCD薄膜生长特性的影响。研究结果表明:金刚石薄膜的晶粒尺寸随着CH4浓度的增加而减小,但是过高的CH4浓度会导致石墨相大量生成;随着Ar浓度的增加,金刚石薄膜的晶粒尺寸逐渐细化,但过量Ar的掺入会降低金刚石薄膜的质量;在合适的工艺参数下,薄膜摩擦系数最低可以降低到0.12,NCD薄膜的最大沉积直径为140 mm。
公开日期	2016-09-18
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/12225]
专题	宁波材料技术与工程研究所_2015专题
推荐引用方式 GB/T 7714	游志恒,满卫东,吕继磊,等. 直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究[J]. 人工晶体学报,2015,44(204):2746-2750.
APA	游志恒.,满卫东.,吕继磊.,阳硕.,何莲.,...&江南.(2015).直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究.人工晶体学报,44(204),2746-2750.
MLA	游志恒,et al."直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究".人工晶体学报 44.204(2015):2746-2750.