QQ客服 官方微博 反馈留言

	基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法
	许兴胜 ; 黄昕楠 ; 高永浩 ; 黎星云
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	光电子学
公开日期	2016-09-28
申请日期	2015-02-13
专利申请号	CN201510079793.5
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27587]
专题	半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式 GB/T 7714	许兴胜,黄昕楠,高永浩,等. 基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。