在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法
裴为华 ; 张贺 ; 王宇 ; 陈远方 ; 陈弘达
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体所
学科主题光电子学
公开日期2016-09-02
申请日期2014-07-15
专利申请号CN201410335136.8
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27352]  
专题半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
裴为华,张贺,王宇,等. 在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法.
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