| 题名 | 利用扫描电镜进行高分辩率图形制作研究; 利用扫描电镜进行高分辩率图形制作研究 |
| 作者 | 1朱军山,电工研究所 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1992 |
| 授予单位 | 中国科学院电工研究所 |
| 导师 | 1顾文琪,电工研究所 |
| 其他题名 | 利用扫描电镜进行高分辩率图形制作研究 |
| 学位专业 | 高电压技术 |
| 中文摘要 | 用扫描电镜（SEM）改装成电子束暴光系统可以缩短曝光机的研制周期。本文介绍了一套用SEM改装的曝光系统，该系统由计算机和接口电路、DAC电路、偏放电路组成。绘图软件用通用的CAD绘图软件包，新开发了图形数据转换程序和曝光程序。图形数据转换程序用FORTRAN编写，扫描曝光程序用汇编语言编写。数模采用DAC1210芯片，偏放采用中国科学院电工所九室研制的DA-4型。该系统曝光速度可调，根据束斑大小、束流大小、抗蚀剂灵敏度而调整，最高速可达1MHZ。扫描场最大2 * 2mm。该系统适合于工艺试验、亚微米的高分辨率图形制作研究、特殊器件的制作研究。通过增加束闸、降低干扰、改换高位数的DAC， 本系统可进一步完善。 Modifying a scanning electron microscopy (SEM) into a electron-beam lithography (EBL) can shorten the research cycle of electron-beam lithography. This paper introduced a system which can write fine pattern with SEM. The system consists of PC computer, interface circuit, DAC and deflection circuit. Pattern design can be done with CAD drawing software packet. Programs for pattern data conversion and pattern exposure have been developed. The program for pattern data conversion is programmed with FORTRAN and the program for pattern exposure with Assembly Language. DACs use DAC1210 devices. Deflection circuits use DA-4 designned by institute of Electrical Engineering, The Chinese Academy of Sciences. The scanning speed of the system can be adjusted according beam diameter, beam current and resist sensitivity. The scanning field is 2 * 2 mm. The system can be used as processing experiment, research for high resolution pattern exposure and special device fabrication. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-10-18 |
| 页码 | 66 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.iee.ac.cn/handle/311042/7535]  |
| 专题 | 电工研究所_其他部门_其他部门_硕士学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1朱军山,电工研究所. 利用扫描电镜进行高分辩率图形制作研究, 利用扫描电镜进行高分辩率图形制作研究[D]. 中国科学院电工研究所. 1992. |
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