GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究

	GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究
	江德生
刊名	半导体学报
	1990
卷号	11 期号:9 页码:659
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20465]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	江德生. GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究[J]. 半导体学报,1990,11(9):659.
APA	江德生.(1990).GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究.半导体学报,11(9),659.
MLA	江德生."GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究".半导体学报 11.9(1990):659.