GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究

	GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究
	刘剑
刊名	半导体学报
	1994
卷号	15 期号:10 页码:711
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:44导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6091.pdf: 188224 bytes, checksum: 3165e518d1c1d6262789ee9012b307b2 (MD5) Previous issue date: 1994; 中科院半导体所;芬兰图尔库大学
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19979]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘剑. GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究[J]. 半导体学报,1994,15(10):711.
APA	刘剑.(1994).GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究.半导体学报,15(10),711.
MLA	刘剑."GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究".半导体学报 15.10(1994):711.