Extremely low threshold current density strained InGaAs/AlGaAs quantum well lasers by molecular beam epitaxy

	Extremely low threshold current density strained InGaAs/AlGaAs quantum well lasers by molecular beam epitaxy
	Yang Guowen ; Xu Junying ; Xiao Jianwei ; Xu Zuntu
刊名	半导体学报
	1994
卷号	15 期号:8 页码:565
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	英语
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19965]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	Yang Guowen,Xu Junying,Xiao Jianwei,et al. Extremely low threshold current density strained InGaAs/AlGaAs quantum well lasers by molecular beam epitaxy[J]. 半导体学报,1994,15(8):565.
APA	Yang Guowen,Xu Junying,Xiao Jianwei,&Xu Zuntu.(1994).Extremely low threshold current density strained InGaAs/AlGaAs quantum well lasers by molecular beam epitaxy.半导体学报,15(8),565.
MLA	Yang Guowen,et al."Extremely low threshold current density strained InGaAs/AlGaAs quantum well lasers by molecular beam epitaxy".半导体学报 15.8(1994):565.