GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器

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	GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器
	李晋闽 ; 郑海群 ; 曾一平 ; 孔梅影
刊名	半导体学报
	1995
卷号	16 期号:1 页码:48
中文摘要	报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W,电压响应率为1.3×10~4V/W。各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于18％,串音小于0.45％,在最大探测率偏置条件下,器件的暗电流密度为6.2×10~(-6)A/cm~2。
英文摘要	报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W,电压响应率为1.3×10~4V/W。各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于18％,串音小于0.45％,在最大探测率偏置条件下,器件的暗电流密度为6.2×10~(-6)A/cm~2。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:10导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6004.pdf: 247437 bytes, checksum: 8c5cfb20a702e9e0510ae0e55c6e37a5 (MD5) Previous issue date: 1995; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19809]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	李晋闽,郑海群,曾一平,等. GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器[J]. 半导体学报,1995,16(1):48.
APA	李晋闽,郑海群,曾一平,&孔梅影.(1995).GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器.半导体学报,16(1),48.
MLA	李晋闽,et al."GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器".半导体学报 16.1(1995):48.