MBE CdTe/GaAs光致发光研究
陈世达 ; 林立 ; 何先忠 ; 许继宗 ; 罗昌平 ; 徐仲英
刊名红外与毫米波学报
1995
卷号14期号:3页码:189
中文摘要在10K低温下对分子束外延生长的CdTe(111)B/GaAs(100)和CdTe(211)B/GaAs(211)B外延膜进行了光致发光(PL)测量,得到了PL谱和带边激子辐射的精细结构。
英文摘要在10K低温下对分子束外延生长的CdTe(111)B/GaAs(100)和CdTe(211)B/GaAs(211)B外延膜进行了光致发光(PL)测量,得到了PL谱和带边激子辐射的精细结构。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:59导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5982.pdf: 315199 bytes, checksum: 414be1d8e1410222c1a3b7bfacdc5393 (MD5) Previous issue date: 1995; 华北光电技术所;中科院半导体所
学科主题半导体物理
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19765]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈世达,林立,何先忠,等. MBE CdTe/GaAs光致发光研究[J]. 红外与毫米波学报,1995,14(3):189.
APA 陈世达,林立,何先忠,许继宗,罗昌平,&徐仲英.(1995).MBE CdTe/GaAs光致发光研究.红外与毫米波学报,14(3),189.
MLA 陈世达,et al."MBE CdTe/GaAs光致发光研究".红外与毫米波学报 14.3(1995):189.
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