石墨烯/半导体多结级联太阳电池及其制备方法

	石墨烯/半导体多结级联太阳电池及其制备方法
	于淑珍; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 赵勇明; 赵春雨; 杨辉
	2015-09-09
专利号	CN103107229B
专利类型	发明
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日期	2013-02-25
专利申请号	2147483647
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3237]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	于淑珍,董建荣,李奎龙,等. 石墨烯/半导体多结级联太阳电池及其制备方法. CN103107229B. 2015-09-09.