基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺

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	基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺
	杨辉; 董建荣; 陆书龙; 赵春雨; 赵勇明; 季莲
	2013-12-18
专利国别	中国
专利号	102184999A
专利类型	发明
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中文摘要	本发明涉及一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺。该光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池,所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。其制备工艺为:以外延生长方法在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层形成光伏电池基体,其后在该光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线,制得目标产物。本发明光伏电池的串联电阻低,输出电压高,光吸收及转换效率高,可作为高效激光光伏电池广泛应用,且其制备工艺简便,可有效节省器件加工时间和降低成本,满足规模化生产的需求。
公开日期	2014-01-20
申请日期	2011-04-02
语种	中文
专利申请号	201110083015.5
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1485]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队
推荐引用方式 GB/T 7714	杨辉,董建荣,陆书龙,等. 基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺. 102184999A. 2013-12-18.