多元素测试仪测定二氧硅烷中的痕量磷

	多元素测试仪测定二氧硅烷中的痕量磷
	闻瑞梅 ; 周淑君 ; 袁越 ; 赵振环
刊名	半导体学报
	1997
卷号	18 期号:2 页码:156
中文摘要	二氯硅烷的沸点只有8.3℃,常温下呈气体状态,用常规的方法取样和检测难度很大.用高温富氢还原的方法,使二氯硅烷中的磷还原为PH_3,用气相色谱法测定.并在炉口设计了锥形惰性气氛保护炉口装置,有效的防止了氢爆.保证测试安全并能连续进样、操作简便、省时.同时利用NaOH富集,解决了主体干优杂质的问题.方法灵敏、可靠、简便、灵敏度由0.1μg/1提高到0.04μg/1.
学科主题	半导体化学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19421]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	闻瑞梅,周淑君,袁越,等. 多元素测试仪测定二氧硅烷中的痕量磷[J]. 半导体学报,1997,18(2):156.
APA	闻瑞梅,周淑君,袁越,&赵振环.(1997).多元素测试仪测定二氧硅烷中的痕量磷.半导体学报,18(2),156.
MLA	闻瑞梅,et al."多元素测试仪测定二氧硅烷中的痕量磷".半导体学报 18.2(1997):156.