High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers

	High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers
	Chen Lianghui
刊名	chinese journal of lasers
	1999
卷号	8 期号:5 页码:397
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:31导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:11:31z (gmt). no. of bitstreams: 1 5592.pdf: 254709 bytes, checksum: 4a0ea7231fa960b0c3be09a09d7ed228 (md5) previous issue date: 1999; 国家自然科学基金,北京市自然科学基金; 北京工业大学电子工程系;中科院半导体所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,北京市自然科学基金
语种	英语
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19035]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	Chen Lianghui. High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers[J]. chinese journal of lasers,1999,8(5):397.
APA	Chen Lianghui.(1999).High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers.chinese journal of lasers,8(5),397.
MLA	Chen Lianghui."High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers".chinese journal of lasers 8.5(1999):397.