图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究

	图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究
	司俊杰 ; 杨沁清 ; 高俊华 ; 滕达 ; 王启明 ; 郭丽伟 ; 周均铭
刊名	半导体学报
	1999
卷号	20 期号:5 页码:353
中文摘要	该文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/SI超晶格的结构和其光致发光性质。图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成。发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现。对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变SiGe层的光致发光光谱进行了比较，图形衬底上总的发光强度相对提高了5.2倍。认为这种提高同富Ge的SiGe量子线的产生相关。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18939]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	司俊杰,杨沁清,高俊华,等. 图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究[J]. 半导体学报,1999,20(5):353.
APA	司俊杰.,杨沁清.,高俊华.,滕达.,王启明.,...&周均铭.(1999).图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究.半导体学报,20(5),353.
MLA	司俊杰,et al."图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究".半导体学报 20.5(1999):353.