δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移

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	δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移
	程文超 ; 夏建白 ; 郑文硕 ; 黄醒良 ; 金载元 ; 林三镐 ; 瑞恩庆 ; 李亨宰
刊名	半导体学报
	1999
卷号	20 期号:6 页码:497
中文摘要	该文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果。这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释。基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性。
英文摘要	该文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果。这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释。基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:13导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5508.pdf: 327914 bytes, checksum: 4d37e09d9538cdb10ee269424b979acf (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所;半导体物理研究中心
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18921]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	程文超,夏建白,郑文硕,等. δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移[J]. 半导体学报,1999,20(6):497.
APA	程文超.,夏建白.,郑文硕.,黄醒良.,金载元.,...&李亨宰.(1999).δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移.半导体学报,20(6),497.
MLA	程文超,et al."δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移".半导体学报 20.6(1999):497.