a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为

	a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为
	郭震宁 ; 黄永箴 ; 郭亨群 ; 李世忱 ; 王启明
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:6 页码:576
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5440.pdf: 297224 bytes, checksum: fa63697502a3239327176784ba7d6b52 (MD5) Previous issue date: 2000; 集成光电子学联合国家重点实验室基金,国家自然科学基金; 天津大学精密仪器与光电子工程学院;中科院半导体所;华侨大学应用物理系
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	集成光电子学联合国家重点实验室基金,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18785]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	郭震宁,黄永箴,郭亨群,等. a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为[J]. 半导体学报,2000,21(6):576.
APA	郭震宁,黄永箴,郭亨群,李世忱,&王启明.(2000).a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为.半导体学报,21(6),576.
MLA	郭震宁,et al."a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为".半导体学报 21.6(2000):576.