衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响
	于磊 ; 曾一平 ; 潘量 ; 孔梅影 ; 李晋闽 ; 李灵霄 ; 周宏伟
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:7 页码:652
中文摘要	研究GaAs基In_xGa_(1-x)As/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件，发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下，衬底温度和生长速率是影响In_xGa_(1-x)As/GaAs QD形成及形状的一对重要因素，基中衬底温度直接影响着In的偏析程度，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs的生长模式；生长速率影响着In_xGa_(1-x)As外延层的质量，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs QD的形状及尺寸。通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的In_xGa_(1-x)As/GaAs QD(x=0.3)。
英文摘要	研究GaAs基In_xGa_(1-x)As/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件，发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下，衬底温度和生长速率是影响In_xGa_(1-x)As/GaAs QD形成及形状的一对重要因素，基中衬底温度直接影响着In的偏析程度，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs的生长模式；生长速率影响着In_xGa_(1-x)As外延层的质量，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs QD的形状及尺寸。通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的In_xGa_(1-x)As/GaAs QD(x=0.3)。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:44导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5438.pdf: 339401 bytes, checksum: 40d73268d7dfdeaf959b996893d1d97a (MD5) Previous issue date: 2000; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18781]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	于磊,曾一平,潘量,等. 衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响[J]. 半导体学报,2000,21(7):652.
APA	于磊.,曾一平.,潘量.,孔梅影.,李晋闽.,...&周宏伟.(2000).衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响.半导体学报,21(7),652.
MLA	于磊,et al."衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响".半导体学报 21.7(2000):652.