低波长漂移的电吸收调制DFB激光器
朱洪亮; 王圩
刊名半导体学报
2001
卷号22期号:5页码:636
中文摘要采用端面有效反射率法,从理论上计算了单片集成电吸收调制DFB激光器(Electroabsortpion Modulated DFB Laser,EML)的腔面反射率、耦合强度(κL)对其波长漂移的影响。同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果。理论与实验的结果表明
英文摘要采用端面有效反射率法,从理论上计算了单片集成电吸收调制DFB激光器(Electroabsortpion Modulated DFB Laser,EML)的腔面反射率、耦合强度(κL)对其波长漂移的影响。同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果。理论与实验的结果表明; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:30导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5391.pdf: 233508 bytes, checksum: e0435af946d83c45cdd95e13fa3766c2 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家863计划,国家自然科学基金; 中科院半导体所国家光电子工艺中心
学科主题半导体器件
收录类别CSCD
资助信息国家863计划,国家自然科学基金
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18687]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
朱洪亮,王圩. 低波长漂移的电吸收调制DFB激光器[J]. 半导体学报,2001,22(5):636.
APA 朱洪亮,&王圩.(2001).低波长漂移的电吸收调制DFB激光器.半导体学报,22(5),636.
MLA 朱洪亮,et al."低波长漂移的电吸收调制DFB激光器".半导体学报 22.5(2001):636.
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