MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器

	MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器
	陈良惠
刊名	光电子·激光
	2000
卷号	11 期号:1 页码:4
中文摘要	利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 nm大功率半导体激光器。
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	北京市自然科学基金,国家863计划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18499]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠. MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器[J]. 光电子·激光,2000,11(1):4.
APA	陈良惠.(2000).MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器.光电子·激光,11(1),4.
MLA	陈良惠."MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器".光电子·激光 11.1(2000):4.