反射率小于10~（-4）的1310nm光电子器件增透膜技术的研究

	反射率小于10~（-4）的1310nm光电子器件增透膜技术的研究
	谭满清 ; 茅冬生 ; 王仲明
刊名	光学学报
	1999
卷号	19 期号:2 页码:235
中文摘要	阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性。介绍了淀积反射率小于10~(-4)的1310nm半导体激光器端面增透膜技术，并对这种技术的优点和两端淀积增透膜后的激光器特性进行了讨论。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18399]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	谭满清,茅冬生,王仲明. 反射率小于10~（-4）的1310nm光电子器件增透膜技术的研究[J]. 光学学报,1999,19(2):235.
APA	谭满清,茅冬生,&王仲明.(1999).反射率小于10~（-4）的1310nm光电子器件增透膜技术的研究.光学学报,19(2),235.
MLA	谭满清,et al."反射率小于10~（-4）的1310nm光电子器件增透膜技术的研究".光学学报 19.2(1999):235.