多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究

	多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究
	陈晔 ; 张旺 ; 李国华 ; 朱作明 ; 韩和相 ; 汪兆平 ; 周伟 ; 王占国
刊名	红外与毫米波学报
	2000
卷号	19 期号:1 页码:19
中文摘要	测量了自组织多层In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光谱，同时观察到来自浸润层和量子点的发光，首次直接观察了浸润层和量子点之间的载流子热转移。分析发光强度随温度的变化发现浸润发光的热淬灭包括两个过程
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家攀登计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18363]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈晔,张旺,李国华,等. 多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(1):19.
APA	陈晔.,张旺.,李国华.,朱作明.,韩和相.,...&王占国.(2000).多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究.红外与毫米波学报,19(1),19.
MLA	陈晔,et al."多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究".红外与毫米波学报 19.1(2000):19.