(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光
司俊杰 ; 杨沁清 ; 滕达 ; 王红杰 ; 余金中 ; 王启明 ; 郭丽伟 ; 周均铭
刊名物理学报
1999
卷号48期号:9页码:1745
中文摘要用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌,测量了其原生及退火后低温下的荧光光谱。对所得结果进行了分析。
英文摘要用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌,测量了其原生及退火后低温下的荧光光谱。对所得结果进行了分析。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:01导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5179.pdf: 203862 bytes, checksum: 50e92d1e07b79bc9158ac288d935361c (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所;中科院物理所
学科主题光电子学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18263]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
司俊杰,杨沁清,滕达,等. (113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光[J]. 物理学报,1999,48(9):1745.
APA 司俊杰.,杨沁清.,滕达.,王红杰.,余金中.,...&周均铭.(1999).(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光.物理学报,48(9),1745.
MLA 司俊杰,et al."(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光".物理学报 48.9(1999):1745.
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