GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较

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	GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
	赵德刚
刊名	半导体学报
	2002
卷号	23 期号:8 页码:881-885
中文摘要	研究了用金属有机物气相外延（MOVPE）方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性，并和生长在蓝宝石（0001）衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿法座蚀特性进行了比较。实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律。对引起上述差异的原因进行了简单的讨论。
英文摘要	研究了用金属有机物气相外延（MOVPE）方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性，并和生长在蓝宝石（0001）衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿法座蚀特性进行了比较。实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律。对引起上述差异的原因进行了简单的讨论。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:16导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5078.pdf: 252069 bytes, checksum: baaa9e02b840acc44fd05d73e5cd31f7 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,NSFC－RGC联合基金（批准号：5 1161953，N－HKU 28/ ）; 中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（批准号：698251 7）,NSFC－RGC联合基金（批准号：5 1161953，N－HKU 28/ ）
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18063]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵德刚. GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较[J]. 半导体学报,2002,23(8):881-885.
APA	赵德刚.(2002).GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较.半导体学报,23(8),881-885.
MLA	赵德刚."GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较".半导体学报 23.8(2002):881-885.