1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长
牛智川
刊名人工晶体学报
2002
卷号31期号:5页码:464-467
中文摘要通过引入较长停顿时间,采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点,在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰。通过AFM和PL谱的联合研究,表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成。
英文摘要通过引入较长停顿时间,采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点,在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰。通过AFM和PL谱的联合研究,表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:52导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5030.pdf: 214491 bytes, checksum: 9fde854dd5666fba309441f0f4f2fd43 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金(No.6 176 6和6 2541 ),中国科学院纳米科学与技术资助项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金(No.6 176 6和6 2541 ),中国科学院纳米科学与技术资助项目
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17967]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
牛智川. 1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长[J]. 人工晶体学报,2002,31(5):464-467.
APA 牛智川.(2002).1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长.人工晶体学报,31(5),464-467.
MLA 牛智川."1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长".人工晶体学报 31.5(2002):464-467.
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