InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

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	InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究
	黎大兵; 韩培德
刊名	发光学报
	2003
卷号	24 期号:4 页码:380-384
中文摘要	降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN，形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明
英文摘要	降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN，形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:37导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4982.pdf: 350504 bytes, checksum: e02df819b527a957456711b20eaf6d7b (MD5) Previous issue date: 2003; 国家自然科学基金（6 86 1）,国家重点基础研究专项经费（G2 683）资助项目; 中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（6 86 1）,国家重点基础研究专项经费（G2 683）资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17871]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	黎大兵,韩培德. InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究[J]. 发光学报,2003,24(4):380-384.
APA	黎大兵,&韩培德.(2003).InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究.发光学报,24(4),380-384.
MLA	黎大兵,et al."InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究".发光学报 24.4(2003):380-384.