用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度

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	用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度
	隋文辉 ; 章蓓 ; 王大军 ; 栾峰 ; 徐万径 ; 马晓宇
刊名	北京大学学报. 自然科学版
	2003
卷号	39 期号:3 页码:331-335
中文摘要	针对半导体发光二极管（LED）出光效率低下的问题，提出了一个LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想，采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结明表明，这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径。
英文摘要	针对半导体发光二极管（LED）出光效率低下的问题，提出了一个LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想，采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结明表明，这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4871.pdf: 188929 bytes, checksum: f5265f673cd7cb2f6f072ddd38aedf95 (MD5) Previous issue date: 2003; 国家自然科学基金（6989626 ，6 77 22，6 276 34）,集成光电子国家重点实验室开放课题资助项目; 北京大学物理学院;中国科学院半导体所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（6989626 ，6 77 22，6 276 34）,集成光电子国家重点实验室开放课题资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17675]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	隋文辉,章蓓,王大军,等. 用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度[J]. 北京大学学报. 自然科学版,2003,39(3):331-335.
APA	隋文辉,章蓓,王大军,栾峰,徐万径,&马晓宇.(2003).用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度.北京大学学报. 自然科学版,39(3),331-335.
MLA	隋文辉,et al."用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度".北京大学学报. 自然科学版 39.3(2003):331-335.