GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究
	罗向东 ; 边历峰 ; 徐仲英 ; 罗海林 ; 王玉琦 ; 王建农 ; 葛惟琨
刊名	物理学报
	2003
卷号	52 期号:7 页码:1761-1765
中文摘要	用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb/GaAs单量子阱的光学性质,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类)和间接(Ⅱ类)跃迁.它们表现出不同的特性:Ⅰ类跃迁具有局域化特性,其发光能量不随激发光能量而变;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移,也随激发光能量的增加而蓝移,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释,这也是空间间接跃迁的典型特性.还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb/GaAs能带排列的Ⅱ类特性,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb/GaAs异质结的带阶系数.
英文摘要	用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb/GaAs单量子阱的光学性质,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类)和间接(Ⅱ类)跃迁.它们表现出不同的特性:Ⅰ类跃迁具有局域化特性,其发光能量不随激发光能量而变;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移,也随激发光能量的增加而蓝移,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释,这也是空间间接跃迁的典型特性.还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb/GaAs能带排列的Ⅱ类特性,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb/GaAs异质结的带阶系数.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:44导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4803.pdf: 375068 bytes, checksum: 4b709bef772b3a0cdf4e191e1cfc1823 (MD5) Previous issue date: 2003; 国家重点基础研究专项基金,国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目资助的课题; 中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究专项基金,国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目资助的课题
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17565]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	罗向东,边历峰,徐仲英,等. GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究[J]. 物理学报,2003,52(7):1761-1765.
APA	罗向东.,边历峰.,徐仲英.,罗海林.,王玉琦.,...&葛惟琨.(2003).GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究.物理学报,52(7),1761-1765.
MLA	罗向东,et al."GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究".物理学报 52.7(2003):1761-1765.