准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵

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	准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵
	方高瞻 ; 马骁宇 ; 王国宏 ; 谭满清 ; 蓝永生
刊名	中国激光
	2004
卷号	31 期号:6 页码:649-653
中文摘要	高功率激光二极管列阵广泛应用于抽运固体激光器.报道了17 kW GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的设计、制作过程和测试结果.为了提高器件的输出功率,一方面采用宽波导量子阱外延结构,降低腔面光功率密度,提高单个激光条的输出功率,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法进行材料生长,经过光刻、金属化、镀膜等工艺制备1 cm激光条,填充密度为80%,单个激光条输出功率达100 W以上;另一方面器件采用高密度叠层封装结构,提高器件的总输出功率,实现了160个激光条叠层封装,条间距0.5 mm.经测试,器件输出功率达17kW,峰值波长为807.6 nm,谱线宽度为4.9 nm.
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17503]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	方高瞻,马骁宇,王国宏,等. 准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵[J]. 中国激光,2004,31(6):649-653.
APA	方高瞻,马骁宇,王国宏,谭满清,&蓝永生.(2004).准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵.中国激光,31(6),649-653.
MLA	方高瞻,et al."准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵".中国激光 31.6(2004):649-653.