静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光

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	静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光
	方再利 ; 苏付海 ; 马宝珊 ; 丁琨 ; 韩和相 ; 李国华 ; 苏萌强 ; 葛惟锟
刊名	红外与毫米波学报
	2004
卷号	23 期号:1 页码:38-42
中文摘要	研究了4块ZnS∶Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温15K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17399]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	方再利,苏付海,马宝珊,等. 静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光[J]. 红外与毫米波学报,2004,23(1):38-42.
APA	方再利.,苏付海.,马宝珊.,丁琨.,韩和相.,...&葛惟锟.(2004).静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光.红外与毫米波学报,23(1),38-42.
MLA	方再利,et al."静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光".红外与毫米波学报 23.1(2004):38-42.