SOI热光调制器

	SOI热光调制器
	陈少武; 樊中朝
刊名	半导体学报
	2004
卷号	25 期号:10 页码:1315-1318
中文摘要	设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器.通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度,使制作出的调制器有良好的综合性能.调制器调制深度为91%,功耗为0.35W,调制速度约为27μs.减小多模干涉耦合器的设计误差和提高刻蚀均匀性可以改善调制器的性能.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17285]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈少武,樊中朝. SOI热光调制器[J]. 半导体学报,2004,25(10):1315-1318.
APA	陈少武,&樊中朝.(2004).SOI热光调制器.半导体学报,25(10),1315-1318.
MLA	陈少武,et al."SOI热光调制器".半导体学报 25.10(2004):1315-1318.