等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼

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	等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼
	王博
刊名	物理学报
	2004
卷号	53 期号:12 页码:4410-4413
中文摘要	用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底,硅烷(SiH4)作硅源,硼烷(B2H6)作掺杂气体, Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长硅纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.……
英文摘要	用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底,硅烷(SiH4)作硅源,硼烷(B2H6)作掺杂气体, Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长硅纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.……; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:40导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4646.pdf: 383878 bytes, checksum: 29d58f933f9ad5d2dea3b87cad0ab508 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所;清华大学物理系
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17259]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王博. 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼[J]. 物理学报,2004,53(12):4410-4413.
APA	王博.(2004).等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼.物理学报,53(12),4410-4413.
MLA	王博."等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼".物理学报 53.12(2004):4410-4413.