MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究

	MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究
	江德生
刊名	红外与毫米波学报
	2005
卷号	24 期号:3 页码:193-197
中文摘要	对AlInGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究.根据V-形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的分析,确定AⅡnGaN外延层中V-形缺陷的形成与铟的分凝之间的关系.同时,用波长为325纳米的短波长激光研究了AlInGaN外延薄层的拉曼散射,测量了合金铝组分改变引起的A1(LO)声子的频率移动,观测到了出射共振引起的LO声子拉曼散射谱的共振加强,此共振过程的机制是一种类级联的电子-多声子互作用机制.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金会的资助
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17101]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	江德生. MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究[J]. 红外与毫米波学报,2005,24(3):193-197.
APA	江德生.(2005).MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究.红外与毫米波学报,24(3),193-197.
MLA	江德生."MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究".红外与毫米波学报 24.3(2005):193-197.