带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制

	带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制
	韦欣
刊名	光子学报
	2005
卷号	34 期号:4 页码:496-498
中文摘要	利用MOCVD生长了14xxnm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片.采用带有锥形增益区脊型波导结构和普通条形脊型波导结构在相同的实验条件下制作800μm腔长激光器管芯,在相同的驱动电流下前者可以获得更高的输出光功率,而且P-Ⅰ曲线线性度较好、饱和电流高.1200μm腔长带有锥形增益区脊型波导结构管芯功率达到500mW,饱和电流3A以上,峰值波长1460nm,远场发散角为39°×11°.
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家863计划资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17049]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韦欣. 带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制[J]. 光子学报,2005,34(4):496-498.
APA	韦欣.(2005).带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制.光子学报,34(4),496-498.
MLA	韦欣."带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制".光子学报 34.4(2005):496-498.