非晶／微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池

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	非晶／微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池
	郝会颖 ; 孔光临 ; 曾湘波 ; 许颖 ; 刁宏伟 ; 廖显伯
刊名	物理学报
	2005
卷号	54 期号:7 页码:3327-3331
中文摘要	采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF—PECVD)法，成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜．样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性．用这种两相结构的材料作为本征层制备了p-i-n太阳能电池，并测量了其稳定性．结果在AM1．5(100mW／c^m2)的光强下曝光800-5000min后，开路电压略有升高，转换效率仅衰退了2．9％．
英文摘要	采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF—PECVD)法，成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜．样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性．用这种两相结构的材料作为本征层制备了p-i-n太阳能电池，并测量了其稳定性．结果在AM1．5(100mW／c^m2)的光强下曝光800-5000min后，开路电压略有升高，转换效率仅衰退了2．9％．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:19导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4448.pdf: 403357 bytes, checksum: 8356f2331b52bc3876525db8ad49115f (MD5) Previous issue date: 2005; 国家重点基础研究发展规划项目; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16939]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	郝会颖,孔光临,曾湘波,等. 非晶／微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池[J]. 物理学报,2005,54(7):3327-3331.
APA	郝会颖,孔光临,曾湘波,许颖,刁宏伟,&廖显伯.(2005).非晶／微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池.物理学报,54(7),3327-3331.
MLA	郝会颖,et al."非晶／微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池".物理学报 54.7(2005):3327-3331.