高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法

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	高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法
	许兴胜; 韩伟华; 张杨
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:9 页码:1640-1644
中文摘要	结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.
英文摘要	结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4249.pdf: 1238573 bytes, checksum: ea6d2bd3511d1105afed225468a08c1f (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金资助项目; 中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所,半导体集成技术工程研究中心
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16591]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	许兴胜,韩伟华,张杨. 高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法[J]. 半导体学报,2006,27(9):1640-1644.
APA	许兴胜,韩伟华,&张杨.(2006).高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法.半导体学报,27(9),1640-1644.
MLA	许兴胜,et al."高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法".半导体学报 27.9(2006):1640-1644.