实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制

	实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制
	王俊; 王俊
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:8 页码:1467-1470
中文摘要	报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器．外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长，有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层．器件采用pnpn结限制掩埋结构，有源区脊宽2μm、腔长300μm．室温下腔面镀膜后激光器管芯的阈值电流为18±5mA，8mW输出功率时的工作电流为60±5mA．采用TO封装后，100mA工作电流下激光器的输出功率大于5mW，输出波长为1732±10nm，高温恒流加速老化筛选实验表明，器件具有长期工作的可靠性，满足实用化要求。
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16525]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,王俊. 实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制[J]. 半导体学报,2006,27(8):1467-1470.
APA	王俊,&王俊.(2006).实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制.半导体学报,27(8),1467-1470.
MLA	王俊,et al."实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制".半导体学报 27.8(2006):1467-1470.